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Tensione 250 V di ripartizione di Scolo-fonte del MOSFET P-Chan delle parti IRFR9214PBF di aviazione

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xProduttore | VISHAY | Categoria di prodotto | MOSFET |
---|---|---|---|
Tecnologia | Si | Montaggio dello stile | SMD/SMT |
Pacchetto/caso | TO-252-3 | Polarità del transistor | P-Manica |
Identificazione - Corrente continua dello scolo | 2,7 A | Resistenza su di Scolo-fonte di RDS | 3 ohm |
Evidenziare | IRFR9214PBF Parti per l'aviazione,Parti per veicoli aerei a 250 V,250 V IRFR9214PBF MOSFET |
Aviation Parts IRFR9214PBF MOSFET P-Chan Drain-Source Breakdown Voltage 250 V
Descrizioni delle parti di aviazione:
I MOSFET di potenza di terza generazione di Vishay utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una bassa resistenza On per area di silicio.Questo vantaggio, combinato con l'elevata velocità di commutazione e il design robusto del dispositivo per cui i MOSFET di potenza sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile da utilizzare in un'ampia varietà di applicazioni.Il DPAK è progettato per il montaggio superficiale mediante tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o ad onda.La versione con cavo diritto (serie IRFU, SiHFU) è per applicazioni di montaggio a foro passante.Nelle tipiche applicazioni a montaggio superficiale sono possibili livelli di dissipazione di potenza fino a 1,5 W.
Caratteristiche delle parti di aviazione:
- Tecnologia di processo avanzata
- Completamente classificato come valanga
- A montaggio superficiale (IRFR9214, SiHFR9214)
- Cavo dritto (IRFU9214, SiHFU9214)
- Canale P
- Commutazione rapida
Specifiche delle parti di aviazione:
Attributo del prodotto | Valore dell'attributo |
Produttore: | Vishay |
Categoria di prodotto: | MOSFET |
RoHS: | Dettagli |
Tecnologia: | Si |
Stile di montaggio: | SMD/SMT |
Confezione/caso: | TO-252-3 |
Polarità del transistor: | Canale P |
Numero di canali: | 1 canale |
Vds - Tensione di rottura drain-source: | 250 V |
Id - Corrente di scarico continua: | 2.7 A |
Rds On - Resistenza Drain-Source: | 3 Ohm |
Vgs - Tensione gate-source: | -20V, +20V |
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: | 4 V |
Qg - Carica di cancello: | 14 nC |
Temperatura operativa minima: | - 55 C |
Temperatura operativa massima: | + 150 C |
Pd - Dissipazione di potenza: | 50 W |
Modalità canale: | Aumento |
Serie: | IRFR/U |
Confezione: | Tubo |
Marca: | Semiconduttori Vishay |
Configurazione: | Separare |
Altezza: | 2,38 mm |
Lunghezza: | 6,73 mm |
Tipologia di prodotto: | MOSFET |
Quantità confezione di fabbrica: | 3000 |
Sottocategoria: | MOSFET |
Larghezza: | 6,22 mm |
Unità di peso: | 0,011640 once |
