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Tensione 250 V di ripartizione di Scolo-fonte del MOSFET P-Chan delle parti IRFR9214PBF di aviazione

Numero di modello IRFR9214PBF
Quantità di ordine minimo Pc 1
Prezzo Negoziabile
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Dettagli
Produttore VISHAY Categoria di prodotto MOSFET
Tecnologia Si Montaggio dello stile SMD/SMT
Pacchetto/caso TO-252-3 Polarità del transistor P-Manica
Identificazione - Corrente continua dello scolo 2,7 A Resistenza su di Scolo-fonte di RDS 3 ohm
Evidenziare

IRFR9214PBF Parti per l'aviazione

,

Parti per veicoli aerei a 250 V

,

250 V IRFR9214PBF MOSFET

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Descrizione di prodotto

Aviation Parts IRFR9214PBF MOSFET P-Chan Drain-Source Breakdown Voltage 250 V
 
 
Descrizioni delle parti di aviazione:
 
I MOSFET di potenza di terza generazione di Vishay utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una bassa resistenza On per area di silicio.Questo vantaggio, combinato con l'elevata velocità di commutazione e il design robusto del dispositivo per cui i MOSFET di potenza sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile da utilizzare in un'ampia varietà di applicazioni.Il DPAK è progettato per il montaggio superficiale mediante tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o ad onda.La versione con cavo diritto (serie IRFU, SiHFU) è per applicazioni di montaggio a foro passante.Nelle tipiche applicazioni a montaggio superficiale sono possibili livelli di dissipazione di potenza fino a 1,5 W.
 
Caratteristiche delle parti di aviazione:
 

  • Tecnologia di processo avanzata
  • Completamente classificato come valanga
  • A montaggio superficiale (IRFR9214, SiHFR9214)
  • Cavo dritto (IRFU9214, SiHFU9214)
  • Canale P
  • Commutazione rapida

 
Specifiche delle parti di aviazione:
 

Attributo del prodottoValore dell'attributo
Produttore:Vishay
Categoria di prodotto:MOSFET
RoHS:Dettagli
Tecnologia:Si
Stile di montaggio:SMD/SMT
Confezione/caso:TO-252-3
Polarità del transistor:Canale P
Numero di canali:1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source:250 V
Id - Corrente di scarico continua:2.7 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:3 Ohm
Vgs - Tensione gate-source:-20V, +20V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:4 V
Qg - Carica di cancello:14 nC
Temperatura operativa minima:- 55 C
Temperatura operativa massima:+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:50 W
Modalità canale:Aumento
Serie:IRFR/U
Confezione:Tubo
Marca:Semiconduttori Vishay
Configurazione:Separare
Altezza:2,38 mm
Lunghezza:6,73 mm
Tipologia di prodotto:MOSFET
Quantità confezione di fabbrica:3000
Sottocategoria:MOSFET
Larghezza:6,22 mm
Unità di peso:0,011640 once

 

 


 
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