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tensione di base VCBO 100V del collettore di 50MHz MJE182G BJT

  • 50MHz MJE182G BJT Collector Base Voltage VCBO 100V
Numero di modello MJE182G BJT
Prezzo Negoziabile
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Dettagli
MFR onsemi Categoria di prodotto Transistor bipolari - BJT
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima 80 V Tensione di base VCBO del collettore 100 V
Tensione emittenta-base VEBO 7 V Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore 1,7 V
Corrente CC massima del collettore 3 A Palladio - dissipazione di potere W 12,5
Prodotto fT di larghezza di banda di guadagno 50 megahertz Temperatura di funzionamento minima - 65 C
Evidenziare

collettore di 50MHz BJT

,

Collettore 100V di BJT

,

MJE182G
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Descrizione di prodotto

Tensione di base VCBO 100 V del collettore delle parti MJE182G BJT di aviazione
 
 
Descrizioni delle parti di aviazione:
 
La serie MJE170/180 è progettata per l'amplificatore audio di potere basso e le applicazioni di commutazione a corrente debole e ad alta velocità.
 
Caratteristiche delle parti di aviazione:

  • • Alto guadagno corrente di CC

    • Prodotto a corrente forte di larghezza di banda del − del −Gain

    • Costruzione anulare per le perdite basse

    • UL a resina epossidica 94 V−0 @ 0,125 di raduni dentro

    • Questi dispositivi sono Pb−Free e sono RoHS Compliant*

Specifiche delle parti di aviazione:
 

Attributo di prodotto Valore di attributo
Produttore: onsemi
Categoria di prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS: Dettagli
Montaggio dello stile: Attraverso il foro
Pacchetto/caso: TO-225-3
Polarità del transistor: NPN
Configurazione: Singolo
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima: 80 V
Tensione di base VCBO del collettore: 100 V
Tensione emittenta-base VEBO: 7 V
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore: 1,7 V
Corrente di collettore massima di CC: 3 A
Palladio - dissipazione di potere: W 12,5
Prodotto fT di larghezza di banda di guadagno: 50 megahertz
Temperatura di funzionamento minima: - 65 C
Temperatura di funzionamento massima: + 150 C
Serie: MJE182
Imballaggio: Massa
Marca: onsemi
Corrente di collettore continua: 3 A
Collettore di CC/min basso del hfe di guadagno: 50
Altezza: 11,04 millimetri
Lunghezza: 7,74 millimetri
Tipo di prodotto: BJTs - transistor bipolari
Quantità del pacchetto della fabbrica: 500
Sottocategoria: Transistor
Tecnologia: Si
Larghezza: 2,66 millimetri
Peso specifico: 0,023986 once

 
 
tensione di base VCBO 100V del collettore di 50MHz MJE182G BJT 0

tensione di base VCBO 100V del collettore di 50MHz MJE182G BJT 1
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